Chi tiết sản phẩm

Trang chủ / Sản phẩm / Silicon Carbide Pot

Nồi carbide silic

Dòng sản phẩm carbide silic

Nồi và bồn carbide silic (SiSiC liên kết phản ứng / RSiC tái kết tinh) sản xuất từ bột mịn SiC tinh khiết bằng đúc slip chính xác và thiêu kết nhiệt độ cao. Dẫn nhiệt cao, chống ăn mòn axit/kiềm cực mạnh, cường độ cao và ổn định kích thước.

Thông sốQuy cách
Vật liệuReaction Bonded (SiSiC) / Recrystallized (RSiC)
Nhiệt độ sử dụng tối đa1380°C ~ 1650°C
Khối lượng thể tích2.70 ~ 3.05 g/cm³
Cường độ chịu nén nguội≥ 120 ~ 250 MPa
Dẫn nhiệt (1000℃)≥ 30 ~ 45 W/(m·K)
Corrosion ResistanceChịu axit mạnh, kiềm và muối nóng chảy

Giới thiệu vật liệu

Nồi và bồn carbide silic (SiC) là bình gốm kết cấu hiệu suất cao. Độ cứng Mohs 9.2~9.5 (chỉ sau kim cương và carbide bor), chống mòn và trơ hóa học xuất sắc.

Trong axit đặc nóng, kiềm và muối nóng chảy, SiC chống ăn mòn đặc biệt. Dẫn nhiệt cao hơn vật liệu chịu lửa oxit thông thường 5 đến 10 lần, thúc đẩy trao đổi nhiệt nhanh, đồng đều và rút ngắn chu kỳ phản ứng/kết tinh.

Đặc điểm sản phẩm

  • Chống ăn mòn nổi bật: chịu axit sunfuric, clohydric, nitric, kiềm mạnh và muối nóng chảy mà không nhiễm bẩn.
  • Dẫn nhiệt cao và truyền nhiệt đồng đều: loại điểm nóng và tối ưu độ đồng đều nhiệt độ.
  • Superior Thermal Shock Resistance: Low thermal expansion coefficient prevents cracking under severe temperature cycling.
  • Cường độ nhiệt độ cao và chống creep: giữ cường độ cơ học cao trên 1400°C, chống creep mạnh giúp giảm rủi ro biến dạng và rò rỉ.
  • Custom Sizes & Shapes: Available in cylindrical, flanged, flat-bottom, or round-bottom configurations.

Thông số kỹ thuật

Chỉ số Đơn vị Reaction Bonded SiC (SiSiC) Recrystallized SiC (RSiC)
Hàm lượng SiC%≥ 88≥ 98
Khối lượng thể tíchg/cm³≥ 3.02≥ 2.70
Độ xốp biểu kiến%≤ 0.5≤ 15
Cold MORMPa≥ 250≥ 90
High Temp MOR (1200℃/1400℃)MPa≥ 280 (1200℃)≥ 100 (1400℃)
Nhiệt độ sử dụng tối đa13801650
Dẫn nhiệt (1000℃)W/(m·K)≥ 42≥ 30
Thermal Shock Chu kỳ (1100℃ water quench)Chu kỳ≥ 30≥ 35