Карточка продукта

Главная / Продукция / Silicon Carbide Saggar

Саггер из карбида кремния

Серия изделий из карбида кремния

Саггеры из карбида кремния — печные контейнеры из ультрачистого SiC, полученные высокоточным литьём и спеканием. Сверхвысокая теплопроводность, стойкость к термоциклам, устойчивость к щелочным парам и литию, нулевая ползучесть при высоких температурах — для максимальной производительности печи и выхода годного.

Параметр Значение
Материал Recrystallized SiC (RSiC) / Reaction Bonded SiC (SiSiC)
Макс. температура службыerature 1450°C ~ 1650°C
Кажущаяся плотность 2.70 ~ 3.05 g/cm³
Прочность при сжатии (холодная) ≥ 120 MPa
Bending Strength (1400℃) ≥ 50 ~ 100 MPa
Теплопроводность (1000℃) ≥ 28 ~ 42 W/(m·K)
Thermal Shock Resistance (1100℃ Water Quench) ≥ 30 cycles without cracking

О материале

Саггеры из карбида кремния (SiC) — ключевая высокоэффективная печная оснастка. По сравнению с кордиерит-муллитовыми или корундовыми саггерами SiC имеет теплопроводность в 3–5 раз выше и существенно меньший коэффициент теплового расширения. Это обеспечивает быстрое равномерное распределение температуры в роликовых и толкательных печах, устраняет градиенты и резко повышает однородность спекания порошков.

Саггеры SiC обладают высокой ползучестойкостью и несущей способностью при длительном нагреве, предотвращая прогиб, коробление и деформацию чаши. Плотная огнеупорная поверхность сопротивляется химической эрозии солей лития и агрессивных атмосфер спекания, сохраняя чистоту порошка и долгий ресурс циклов.

Особенности

  • Высокая теплопроводность и энергосбережение: быстрый теплоперенос сокращает выдержки и снижает энергопотребление печи.
  • Высокая термостойкость: низкое расширение допускает быстрый нагрев и охлаждение с меньшим риском трещин.
  • Прочность при высоких температурах и сопротивление короблению: сохраняет целостность и плоскостность после повторных обжигов под нагрузкой.
  • Химическая коррозия и антипригарность: стойкость к парам лития, щелочам и защитным атмосферам, предотвращает загрязнение материала.
  • Универсальные заказные конфигурации: одно- и многокамерные прямоугольные саггеры, круглые, перфорированные и модульные конструкции по заказу.

Технические параметры

Показатель Ед. Recrystallized SiC (RSiC) Reaction Bonded SiC (SiSiC) Nitride Bonded SiC (NSiC)
Содержание SiC % ≥ 98 ≥ 88 ≥ 75
Кажущаяся плотность g/cm³ ≥ 2.70 ≥ 3.02 ≥ 2.65
Открытая пористость % ≤ 15 ≤ 0.5 ≤ 14
Прочность при изгибе (20℃) MPa ≥ 90 ≥ 250 ≥ 160
Flexural Strength (1400℃) MPa ≥ 100 ≥ 280 (1200℃) ≥ 180
Refractoriness Under Load (0.2MPa) > 1700 > 1380 > 1650
Макс. температура службыerature 1650 1380 1500
Теплопроводность (1000℃) W/(m·K) ≥ 30 ≥ 42 ≥ 22
Thermal Shock Циклы (1100℃ Water Quench) Циклы ≥ 35 ≥ 30 ≥ 25