Pot silikon karbida
Seri produk silikon karbidaPot dan tangki silikon karbida (SiSiC reaction bonded / RSiC rekristalisasi) dibuat dari serbuk halus SiC kemurnian tinggi lewat slip casting presisi dan sintering suhu tinggi. Konduktivitas termal tinggi, tahan korosi asam/basa ekstrem, kekuatan tinggi, dan stabilitas dimensi.
| Parameter | Spesifikasi |
|---|---|
| Material | Reaction Bonded (SiSiC) / Recrystallized (RSiC) |
| Suhu layanan maks. | 1380°C ~ 1650°C |
| Densitas curah | 2.70 ~ 3.05 g/cm³ |
| Kuat tekan dingin | ≥ 120 ~ 250 MPa |
| Konduktivitas termal (1000℃) | ≥ 30 ~ 45 W/(m·K) |
| Corrosion Resistance | Tahan asam kuat, alkali, dan garam leleh |
Pengantar material
Pot dan tangki silikon karbida (SiC) adalah wadah keramik struktural berkinerja tinggi. Kekerasan Mohs 9.2~9.5 (hanya di bawah diamond dan boron carbide), tahan aus dan inert kimia luar biasa.
Dalam asam pekat panas, alkali, dan garam leleh, SiC sangat tahan korosi. Konduktivitas termalnya 5–10 kali oksida tahan api konvensional, mempercepat pertukaran panas merata dan mempersingkat siklus reaksi/kristalisasi.
Fitur produk
- Tahan korosi luar biasa: menahan asam sulfat, klorida, nitrat, alkali kuat, dan garam leleh tanpa kontaminasi.
- Konduktivitas termal tinggi & transfer panas merata: menghilangkan hot spot dan mengoptimalkan keseragaman suhu.
- Superior Thermal Shock Resistance: Low thermal expansion coefficient prevents cracking under severe temperature cycling.
- Kekuatan suhu tinggi & anti-creep: mempertahankan kekuatan mekanis di atas 1400°C, tahan creep kuat mengurangi risiko deformasi dan kebocoran.
- Custom Sizes & Shapes: Available in cylindrical, flanged, flat-bottom, or round-bottom configurations.
Parameter spesifikasi
| Indeks | Satuan | Reaction Bonded SiC (SiSiC) | Recrystallized SiC (RSiC) |
|---|---|---|---|
| Kadar SiC | % | ≥ 88 | ≥ 98 |
| Densitas curah | g/cm³ | ≥ 3.02 | ≥ 2.70 |
| Porositas semu | % | ≤ 0.5 | ≤ 15 |
| Cold MOR | MPa | ≥ 250 | ≥ 90 |
| High Temp MOR (1200℃/1400℃) | MPa | ≥ 280 (1200℃) | ≥ 100 (1400℃) |
| Suhu layanan maks. | ℃ | 1380 | 1650 |
| Konduktivitas termal (1000℃) | W/(m·K) | ≥ 42 | ≥ 30 |
| Thermal Shock Siklus (1100℃ water quench) | Siklus | ≥ 30 | ≥ 35 |
